главная   оптика   волоконная оптика   спектроскопия   лазеры   лазерные системы
 
     
 
Оптика
Волоконная оптика
Спектроскопия
Лазеры /
  История создания лазеров
  Принципы работы лазера
  Параметры лазерного излучения
  Различные типы лазеров
  Твердотельные лазеры
  Волоконные лазеры
  Сравнение волоконных лазеров и твердотельных лазеров на объемных кристаллах
  Рамановские лазеры
  Полупроводниковые лазеры
  Газовые лазеры
  Лазеры на красителях
  Необычные лазеры
  Парусные лазеры
  Лазерная безопасность
  Юмор
  Ведущие фирмы-производители лазеров. Поставщики лазерного оборудования
  Лазерика
Лазерные системы
Телекоммуникации и связь
 
Выставки и конференции
Новости науки и лазерной техники
 
О проекте
Ссылки

 

Накачка твердотельных лазеров

Diode-Pumped
Solid State Lasers
T.Y Fan

VOLUME 3, NUMBER 3, 1990 THE LINCOLN LABORATORY JOURNAl

Перевод Виталия Угарова

лазер с диодной накачкой В последние несколько лет возрос интерес к использованию полупроводниковых диодных лазеров для накачки твердотельных лазеров на основе редкоземельных ионно-легированных прозрачных твердых веществ, таких как легированный неодимом иттрий-алюминиевый гранат (Nd:YAG). Традиционно, эти твердотельные лазеры накачиваются импульсными лампами, которые излучают широкополосное излучение. Системы с ламповой накачкой являются неэффективными: как правило, 1% подведенной электрической энергии переходит в оптическую, и лампы требуют замены примерно через 200 часов непрерывной работы. Диодные лазерные источники накачки позволяет работать с более высокой эффективностью (10%) и при более длительном сроке службы (20000 ч).

Потенциальные преимущества полупроводниковых источников света над ламповыми, для оптической накачки твердотельных лазеров, были признаны в начале 1960-х годов, но лазеры с диодной накачкой на практике не реализовывались до начала 1980-х годов, когда стали широкодоступными эффективные, мощные, надежные полупроводниковые лазеры. Лаборатория Линкольна принимала участие в разработке этих лазеров с самого начала; первый лазер с диодной накачкой был U3 +; CaF2 лазер продемонстрирован в лаборатории Линкольна R.J. Keyes и T.M. Quist в 1964 году. На рисунке показана схема этого устройства. Весь узел был помещен в гелиевой криостат для охлаждения, так как для работы лазерного диода требуется поддерживать низкую температуру.

Продолжались исследования в лаборатории Линкольна и в 1970-х годах, большая часть усилий посвящена исследованию твердотельных лазерных материалов, легированных с относительно высокими уровнями Nd. Два обзора исследований в этой области были опубликованы в 1988 году.

Эта статья рассматривает преимущества технологии лазерной диодной накачки по сравнению с конкурирующими лазерными технологиями, и обсуждает некоторые исследования группы исследователей квантовой электроники в лаборатории Линкольна, в настоящее время эта группа работает в таких областях как: лазеры высокой и средней мощности, лазерами с высокой энергией в импульсе, новые лазерные конфигурации, и новые материалы для лазеров с диодной накачкой.

Сравнение лазеров с диодной накачкой с конкурирующими технологиями Сравнение лазеров с диодной накачкой с конкурирующими технологиями

Сравнительные характеристики излучения Сравнительные характеристики излучения

 
Кафедра Лазерной техники БГТУ 'Военмех'

Онлайн-конвертер

 
         
 
  разработка сайта NINSIS   190005, Санкт-Петербург, ул. 1-я Красноармейская, д. 1
тел/факс: +7 (812) 316-49-09
www.laser-portal.ru