главная   оптика   волоконная оптика   спектроскопия   лазеры   лазерные системы
 
     
 
Оптика
Волоконная оптика
Спектроскопия
Лазеры /
  История создания лазеров
  Принципы работы лазера
  Параметры лазерного излучения
  Различные типы лазеров
  Твердотельные лазеры
  Волоконные лазеры
  Сравнение волоконных лазеров и твердотельных лазеров на объемных кристаллах
  Рамановские лазеры
  Полупроводниковые лазеры
  Газовые лазеры
  Лазеры на красителях
  Необычные лазеры
  Парусные лазеры
  Лазерная безопасность
  Юмор
  Ведущие фирмы-производители лазеров. Поставщики лазерного оборудования
  Лазерика
Лазерные системы
Телекоммуникации и связь
 
Выставки и конференции
Новости науки и лазерной техники
 
О проекте
Ссылки

 

Лазеры на центрах окраски

 

 

 

(ЛЦО) - лазеры, в к-рых активной средой служат ионные кристаллы с центрами окраски. Под воздействием ионизирующих излучений (2546-3.jpg -лучей, электронов высокой энергии, рентг. лучей, нейтронов) либо при нагреве в парах щелочных или щелочноземельных металлов в оптически прозрачных, бесцветных кристаллах возникают вакансии, локализующие на себе за счёт кулоновского притяжения электроны. Связанные системы положительно заряженных вакансий и электронов наз. электронными центрами окраски, т. к. их присутствие в кристалле обусловливает его окрашивание - возникновение полос поглощения и излучения в оптич. диапазоне. Центры окраски могут эффективно поглощать и испускать кванты света, т. е. являются рабочими центрами активных сред перестраиваемых лазеров. По принципу действия и характеристикам ЛЦО подобны лазерам на красителях.
 

2546-4.jpg

Рис. 1. Центры окраски в щёлочно-галоидных кристаллах: а) F-центр; б) F2 -центр; в) F+2 -центр; г) F2 -центр; д) FA- центр; е) FB -центр; примесные ионы - чёрные кружки.
 


 

Наиб. простым центром окраски является F -центр - вакансия аниона (отрицательно заряженного иона в двухатомном ионном кристалле), захватившая один электрон е - (рис. 1, а). Все центры, на к-рых получена лазерная генерация, являются производными от F -центров. Так, F2 -центр представляет собой пару соседних F -центров, сильно связанных друг с другом (рис. 1, б); при потере F2 -центром одного электрона образуется F2+ -центр (рис. 1, в), при захвате - -F2- центр (рис. 1, г). Если в решётку кристалла (матрицу) введены примеси, заместившие нек-рые из катионов (чёрные кружки), то F -центр, рядом с к-рым расположен примесный катион (напр., Li+ вместо К + в решётке КС1), обозначают индексом А (напр., FA, рис. 1, д), а центр, рядом с к-рым расположились 2 примесных катиона (рис. 1, е),- индексом В.
 

Спектральное положение электронно-колебат. полос поглощения и люминесценции центров зависит от типа центров и параметров матрицы. Выбором кристалла для одних и тех же центров можно смещать диапазон генерируемых длин волн 2546-5.jpg, перекрывая область от 2,2 до 3,3 мкм для FA и FB (рис. 2) и от 0,82 до 2 мкм для Ft (рис. 3). Создание комплексов квазимолекулярных центров F2. и F2+, ассоциированных с примесями одно-и двухвалентных металлов, вводимых в матрицу, также позволяет сдвигать полосы поглощения и люминесценции (на 103 2546-8.jpg), ещё более расширяя область перестройки 2546-9.jpg ЛЦО действуют по схеме, к-рую можно свести к четырёхуровневой (рис. 4). Накачка идёт в широкой полосе электронно-колебат. спектра (переход 2546-10.jpg2546-11.jpg ) шириной 1500-2500 А. Далее за время 2546-12.jpg2546-14.jpg 1012-10-13 с идёт безызлучательная релаксация по колебат. подуровням (2546-15.jpg ). Затем следует излучат. переход в широкой полосе (2546-16.jpg, с сечением 2546-17.jpg 10-17 см 2 и вероятностью 107-108 с -1) и опять быстрая безызлучательная релаксация вниз по колебат. подуровням основного состояния (2546-18.jpg ).
 

2546-6.jpg

Рис. 2. Зависимость полос люминесценции центров F А и FB от вида матрицы (I- интенсивность излучения); с увеличением постоянной решётки полосы сдвигаются в сторону бoльших 2546-7.jpg
 


 

2546-13.jpg


 

2546-19.jpg

Рис. 4. Схема уровней, иллюстрирующая лазерное действие центров окраски.
 

Различают низко- и высокотемпературные ЛЦО. Так, для квазиатомных FA- и FB -центров величина кванта тепловых потерь (стоксов сдвиг) в неск. раз превосходит энергию излучат. перехода, что вызывает увеличение с ростом Т вероятности безызлучательных релаксационных переходов 2546-20.jpg и падение квантового выхода люминесценции и накладывает ограничение на рабочую темп-ру лазера (T<200 К). Напротив, малые по сравнению с энергиями излучат. переходов величины кванта тепловых потерь для квазимолекулярных центров (F2, F2+ , F2- и т. д.) обеспечивают высокий и слабо зависящий от Т (при Т2546-21.jpg300 К) квантовый выход люминесценции.
 

Генерация получена на ряде кристаллов: LiF [F2, F/ , F2-]; NaF [F2+, (F2+)A, F3-];NaCl, KF, KC1, KBr[(F2+)A, FAFA(Tl)];RbCl [FA, FB];.CaF2[(F2)A]; SrF2[(F2)A]; MgF2[(F2)A]; KMgF3[F2+]; LiYF4[F2+]; CaO[F + ]; A12O3 и в алмазе с центрами окраски.
 

Непрерывный режим генерации осуществляется при накачке кристаллов аргоновыми и криптоновыми газоразрядными лазерами или неодимовым лазером. Область генерации 2546-22.jpg0,82-3,3 мкм; Т2546-23.jpg77-300 К. Выходная мощность 2546-24.jpg3 Вт, кпд 2546-25.jpg1-60%.
 

Импульсно-периодич. режим осуществляют накачкой неодимовыми и рубиновыми лазерами, лазерами на красителях, на парах Си и газоразрядными импульсными лампами. ЛЦО, работающие при T=300 К, перекрывают диапазон 2546-26.jpg0,52546-27.jpg1,4 мкм, кпд достигает десятков %, выходная энергия 100 Дж, мощность до 1 ГВт. При T=300 К наиб. перспективны активные среды на основе LiF; NaF[F3-]; NaF(Li)[(F2+)A]; CaF2(Na) [(F2)A];SrF2(Na)[(F2)A], а также кристаллы А12 О 3 и алмаза с центрами окраски. Нелинейное насыщающее поглощение в указанных кристаллах позволяет использовать их в качестве нелинейных фильтров, развязок, формирователей и оптич. затворов. Импульсные ЛЦО, работающие в режимах нано-, микро-, пико- и субпикосекундных длительностей, являются основой для спектрометров видимого и ИК-диапазонов. Возможность ЛЦО эффективно работать практически во всех режимах генерации (от непрерывного до субпикосекундных импульсов) в широком диапазоне 2546-28.jpg ставит их в ряд наиб. перспективных инструментов эксперим. физики.
 

Лит.. Феофилов П. П., Архангельская В. А., Люминесценция и стимулированное излучение центров окраски в ионных кристаллах, "Изв. АН СССР. Сер. физ.", 1981, т. 45, № 2, с. 302; Басиев Т. Т. и др..Твердотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах, "Изв. АН СССР. Сер. физ.", 1982, т. 46, с. 1600.
 

Т. Т. Басиев, С. Б. Миров.
 

 Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.

 

 

Диапазоны генерации лазеров

Спектральные диапазоны генерации различных лазеров, в том числе лазеров на центрах окраски, приведены на рисунке.

 

 

 

 
Кафедра Лазерной техники БГТУ 'Военмех'

Онлайн-конвертер

 
         
 
  разработка сайта NINSIS   190005, Санкт-Петербург, ул. 1-я Красноармейская, д. 1
тел/факс: +7 (812) 316-49-09
www.laser-portal.ru