Необходимым требованием к активным средам лазеров фемтосекундных импульсов является ширина полосы усиления, достаточная для поддержания малой длительности УКИ. Второе непременное условие – высокая скорость накачки, для чего необходима ее высокая интенсивность. Такая накачка может быть реализована при фокусировании излучения лазера непрерывного действия в пятно с достаточно малыми размерами. Для этого необходимо, чтобы накачивающий лазер работал в режиме одной поперечной моды, длина волны которой должна попадать в полосу накачки активной среды.
Спектроскопические и лазерные характеристики активных сред
|
Материал
|
Полоса накачки, мм
|
Центр линии усиления, нм
|
Ширина линии усиления, нм
|
Сечение активного перехода, 10-20 см2
|
Время жизни,
мкс
|
Источник накачки
|
Длина волны накачки, нм
|
|
Родамин 6 Ж
|
480-550
|
600
|
35
|
2*104
|
5*10-3
|
Ar-лазер
2-ая гарм. Nd-лазера
|
514
530
|
|
Ti-сапфир
|
450-600
|
780
|
200
|
35
|
3.5
|
Ar-лазер
2-ая гарм. Nd-лазера
|
514
530
|
|
Cr:LiSAF
|
600-700
|
846
|
120
|
4.8
|
67
|
Кr-лазер
GaInP-диод
|
647
670
|
|
Cr:LiSGaAF
|
600-700
|
835
|
120
|
3.3
|
88
|
Кr-лазер
GaInP-диод
|
647
670
|
|
Cr:форстерит
|
850-1150
|
1240
|
50
|
11
|
15
|
Nd:Yag-лазер
Волоконный лазер на Nb,Yb
|
1064
1060-1080
|
|
Nd:стекло
(фосфатное)
|
800
|
1055
|
8
|
4.2
|
350
|
AlGaAs-диод
|
808
|
|
Yb:стекло
|
980
|
1040
|
50
|
1
|
1000-2000
|
InGaAs-диод
|
980
|
